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HYG024N03LR1D
此器件为N 沟道、30V耐压、内阻2.3mΩ、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计，该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足如电机驱动、电池保护等应用领域。
特性
低内阻
优异的FOM值
低输入电容
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
易安装
应用
锂电池保护板
电动工具
负载开关
无人机电调
