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HYG030N02KQ1C2
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.2mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护等应用领域
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
应用
电池保护板 /太阳能控制器
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.2mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护等应用领域
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
提升系统效率
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
应用
电池保护板 /太阳能控制器
