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HYG045P03LQ1B
此器件为P 沟道、30V耐压、内阻4.1mΩ、TO-263-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计，该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足如电池保护、负载开关、电机驱动等应用领域。
特性
低内阻
优异的FOM值
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
易安装
应用
锂电池保护板
负载开关
此器件为P 沟道、30V耐压、内阻4.1mΩ、TO-263-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计，该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足如电池保护、负载开关、电机驱动等应用领域。
特性
低内阻
优异的FOM值
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
优异的导热及散热性能力
高可靠性
高功率密度
稳定的工艺能力
驱动损耗低
易安装
应用
锂电池保护板
负载开关
