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HYG060P04LQ1D
此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.8mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
负载开关，DC-DC，电池保护板
此器件为 P 沟道、-40V耐压、5.8mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。
特性
低内阻
符合RoHS标准
100% DVDS测试
100% UIL测试
领先的封装工艺
优势
通态损耗小
抗冲击能力强
高可靠性
稳定的工艺能力
应用
负载开关，DC-DC，电池保护板
