技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件,其具有自关断的特征。
技术特点
● 无铅软焊料高可靠性粘片技术;
● 超薄芯片的封装技术;
● 镀镍框架粗铝线高可靠性键合技术;
● 高性能铜片、铝带键合以及混合键合技术;
● 使用高可靠的绿色环保型塑封料解决防分层、防溢料技术,
● 使用DBC进行高电压、大电流多芯片封装技术;
● 高可靠性功率器件实验及失效分析技术。
应用领域
IGBT广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航天航空、国防军工等传统产业领域。
封装名称 | 封装外形 | 封装名称 | 封装外形 |
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TO-220 | TO-3P | ||
TO-263 | TO-247 | ||
TO-220F | TO-264 | ||
封装名称 | 封装外形 |
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TO-220 | |
TO-3P | |
TO-263 | |
TO-247 | |
TO-220F | |
TO-264 |