11月2-3日，由半导体在线主办,华羿微电协办的2023年第二届功率半导体器件及应用创新高峰论坛在合肥成功召开。作为协办方及国内领先的功率半导体器件研发设计及封测服务企业,华羿微电在此活动上与参会人员积极交流讨论,共同推动国内功率半导体产业发展。

11月2日上午，华羿微电首席科学家苏博士，在会议上分享了《研发适用于线性模式应用的宽 SOA 30V SGT 平台》主题报告，报告中详细的讲解了30V SGT平台与宽 SOA 30V SGT 平台的研究创新、成果展示及国内外的技术对比。此平台产品的亮相，掀起宽SOA 30V SGT 平台产品参数的新浪潮。

苏博士在报告中讲到:他通过技术研究创新，研发的30V SGT平台，器件在DFN5x6封装的条件下，关键参数指标 Rsp达到3.8mOhm-mm2, 品质因子FOM达到了45.5 mOhm-nC，产品性能与国内外知名友商对标，达到国际先进，国内领先水平，现可完全替代国外产品。

在30V SGT 平台的基础上，集成了宽SOA晶包单元，成功地研制出了具有宽SOA性能的SGT产品,该项独特的宽SOA技术可用于任何SGT产品。器件在TOLL封装条件下，内阻达到0.33mOhm，在Vds=12V, Vgs=10V,PT=100mS,Im=10mA 的测试条件下，测得的SOA电流为14.1A， 跟国际一流功率器件公司的同类宽SOA 30V SGT的产品对比,华羿微电的SOA要好50%。事实证明华羿该宽SOA产品达到了国际领先水平。

展位上，华羿微电携带MOSFET、功率模块、超结MOSFET、碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等更多产品与低压至高压不同类型的封装产品盛装亮相。产品数据参数与封装外形图一应俱全，为客户打造了直观明了的信息平台，与此同时华羿技术支持也在现场为客户一一进行解答。

在公司成立的6年里，华羿微电发展的每一个里程碑，都成为推动行业向前发展的关键力量。未来，华羿微电将坚持高强度技术创新和研发投入，为客户提供可靠、高效的产品及服务，为国产替代，提供源源不断的能量。

                                                                                                                                                                                                           来源 | 文/ 景芸  图/景芸

                                                                                                                                                                                                           编辑 | 刘涛

                                                                                                                                                                                                           审核 | 杨茂才