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HYG025N06LS1P
此器件为 60V、2.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件适合高频应用，可满足如同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换等应用领域。
特性
低内阻
优异的QG
低输入电容
符合RoHS标准
优势
通态损耗小
稳定的工艺能力
高可靠性性
应用
同步整流
此器件为 60V、2.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件适合高频应用，可满足如同步整流，电机驱动，高频DC-DC转换等应用领域。
特性
低内阻
优异的QG
低输入电容
符合RoHS标准
优势
通态损耗小
稳定的工艺能力
高可靠性性
应用
同步整流
