产品与方案

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SGT MOSFET

HYG045N10NS1B

HYG045N10NS1B

此器件为 100V、3.8mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机控制。锂电池保护板等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100%  DVDS测试



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性

抗冲击能力强



应用

电动车控制器

锂电池保护板  

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